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상세 정보 |
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| 재료: | 실리콘 카바이드 및 흑연 | 밀도: | 2.21-2.25 g/cm3 |
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| 모양: | 원통형 | 온도 저항: | 최대 1650°C |
| 프로세스: | 진공 용해 | 애플리케이션: | 반도체 타겟용 전자등급 구리 |
| 청정: | 6N (99.9999%) | 대기: | 고진공 |
| 강조하다: | electronic grade copper melting crucible,SiC graphite crucible for semiconductors,vacuum melting crucible for target material |
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제품 설명
Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible
Ultra-high purity crucible for vacuum melting of 6N (99.9999%) electronic grade copper used in semiconductor sputtering targets. Minimal outgassing and zero contamination design.
Key Features
- Vacuum compatible ultra-low outgassing
- 6N purity retention capability
- Semiconductor grade material quality
- Clean melting for target manufacturing
- Batch traceability documentation
Applications
Semiconductor sputtering target production, electronic grade copper melting, high-purity copper for chip manufacturing, PVD target material preparation.
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